MOSFET Infineon, canale N 100 V, 8.04 mΩ, 75 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie ISZ080N10NM6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-4883
Codice costruttore:
ISZ080N10NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ISZ080N10

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.04mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1mm

Altezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale 100V Infineon OptiMOS™ 6 è progettato per applicazioni ad alta frequenza di commutazione, come ad esempio le telecomunicazioni e l'alimentatore per server, ma è anche la scelta ideale per altre applicazioni, come quelle solari, utensili elettrici e droni. Rispetto ai prodotti alternativi, la tecnologia a lamelle sottili di Infineon leader nel settore offre notevoli vantaggi in termini di prestazioni.

Carica di recupero inverso più bassa e più morbida

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Elevato livello di energia a valanga

Conformità RoHS

Basse perdite di conduzione

Basse perdite di commutazione

Ecologico

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