MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 8.04 mΩ, 75 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie ISZ080N10NM6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-4883
Codice costruttore:
ISZ080N10NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ISZ080N10

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.04mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.1mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale 100V Infineon OptiMOS™ 6 è progettato per applicazioni ad alta frequenza di commutazione, come ad esempio le telecomunicazioni e l'alimentatore per server, ma è anche la scelta ideale per altre applicazioni, come quelle solari, utensili elettrici e droni. Rispetto ai prodotti alternativi, la tecnologia a lamelle sottili di Infineon leader nel settore offre notevoli vantaggi in termini di prestazioni.

Carica di recupero inverso più bassa e più morbida

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Elevato livello di energia a valanga

Conformità RoHS

Basse perdite di conduzione

Basse perdite di commutazione

Ecologico

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