MOSFET Toshiba, canale Tipo P 20 V, 88.4 mΩ, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 236-3566
- Codice costruttore:
- SSM3J328R,LF(T
- Costruttore:
- Toshiba
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
246,00 €
(IVA esclusa)
300,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,082 € | 246,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-3566
- Codice costruttore:
- SSM3J328R,LF(T
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 88.4mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12.8nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.87V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Lunghezza | 2.4mm | |
| Larghezza | 2.9 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 88.4mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.8nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Tensione diretta Vf 0.87V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.8mm | ||
Lunghezza 2.4mm | ||
Larghezza 2.9 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È utilizzato principalmente in applicazioni di commutazione con gestione dell'alimentazione.
Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.