MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 1.2 mΩ, 300 mA, 6 Pin, US6, Superficie

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Codice RS:
236-3581
Codice costruttore:
SSM6N7002KFU,LF(T
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

300mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

US6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Tensione diretta Vf

-0.79V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Lunghezza

2.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2 mm

Standard automobilistico

No

Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È utilizzato principalmente in applicazioni di commutazione ad alta velocità.

Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.

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