MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 1.2 mΩ, 300 mA, 6 Pin, US6, Superficie SSM6N7002KFU,LF(T
- Codice RS:
- 236-3582P
- Codice costruttore:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Costruttore:
- Toshiba
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 400 unità (fornito in bobina)*
31,20 €
(IVA esclusa)
38,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 400 - 600 | 0,078 € |
| 800 - 1000 | 0,077 € |
| 1200 - 2800 | 0,072 € |
| 3000 + | 0,065 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-3582P
- Codice costruttore:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 300mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | US6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | -0.79V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Larghezza | 2 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 300mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package US6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf -0.79V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.9mm | ||
Larghezza 2 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È utilizzato principalmente in applicazioni di commutazione ad alta velocità.
Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.