MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, Foro passante
- Codice RS:
- 239-5537
- Codice costruttore:
- STK130N4LF7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 239-5537
- Codice costruttore:
- STK130N4LF7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | STK | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 40 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 105W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | UL | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie STK | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 40 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 105W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni UL | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N di grado automobilistico STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura di gate a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato on molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
Certificazione AEC-Q101
Tra i RDS(on) più bassi sul mercato
Eccellente FoM (figura di merito)
Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI
Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga
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