MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 239-5544P
- Codice costruttore:
- STP80N240K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 239-5544P
- Codice costruttore:
- STP80N240K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | STP | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | UL | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Larghezza | 10.4 mm | |
| Lunghezza | 28.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie STP | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni UL | ||
Altezza 4.6mm | ||
Larghezza 10.4 mm | ||
Lunghezza 28.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K6 di ultima generazione basata su 20 anni di esperienza STMicroelectronics sulla tecnologia a super giunzione. Il risultato è la migliore resistenza in stato attivo della categoria per area e carica di gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza ed elevata efficienza. Questo MOSFET è consigliato per la topologia flyback, applicazioni basate su illuminazione a LED, caricabatterie e adattatori. Maggiore densità di potenza per ridurre sia il costo BOM che le dimensioni della scheda.
Migliore RDS(ON) x area in tutto il mondo
Miglior FOM a livello mondiale (figura di merito)
Carica di gate ultra bassa
Testato con effetto valanga al 100%
Protezione Zener