MOSFET Microchip, canale Tipo N 650 V, 8 Ω Miglioramento, 10.3 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante

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Codice RS:
239-5617
Codice costruttore:
TN5325K1-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-92

Serie

TN5325

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie Microchip TN5325 di transistor (normalmente spenti) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e di scarica secondaria indotta termicamente.

Soglia bassa di massimo 2V

Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

Tempo di salita di 15 ns

Ritardo di spegnimento di 25 ns

Tempo di caduta di 25 ns

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