MOSFET Microchip, canale Tipo N 650 V, 8 Ω Miglioramento, 10.3 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante TN5325K1-G
- Codice RS:
- 239-5618P
- Codice costruttore:
- TN5325K1-G
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 75 | 0,482 € |
| 100 - 225 | 0,452 € |
| 250 - 975 | 0,443 € |
| 1000 + | 0,434 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 239-5618P
- Codice costruttore:
- TN5325K1-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | TN5325 | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie TN5325 | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie Microchip TN5325 di transistor (normalmente spenti) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e di scarica secondaria indotta termicamente.
Soglia bassa di massimo 2V
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Tempo di salita di 15 ns
Ritardo di spegnimento di 25 ns
Tempo di caduta di 25 ns