MOSFET Microchip, canale N, 150 mA, TO-92, Su foro

La serie Microchip TN5325 di transistor (normalmente spenti) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e di scarica secondaria indotta termicamente.

Soglia bassa di massimo 2V
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Tempo di salita di 15 ns
Ritardo di spegnimento di 25 ns
Tempo di caduta di 25 ns