MOSFET Microchip, canale P, 1.5 Ω, 643 ma, TO-92, Montaggio superficiale

Microchip serie VP2206 sono transistor (normalmente spenti) in modalità potenziata che utilizzano una struttura DMOS verticale e il consolidato processo di produzione di gate di silicio Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. Questi DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica distruttiva, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Ha una ripartizione libera da secondaria
Ha un requisito di azionamento a bassa potenza
Offre una facilità di collegamento in parallelo, un basso CISS e velocità di commutazione elevate
Ha un'elevata impedenza di ingresso e un elevato guadagno con un'eccellente stabilità termica
È dotato di un diodo source-drain integrato