MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante STD86N3LH5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-6330P
Codice costruttore:
STD86N3LH5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Serie

STD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

UL

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia STMicroelectronics STripFET H5. Questo dispositivo è stato ottimizzato per ottenere una resistenza in stato attivo molto bassa.

Bassa resistenza in stato attivo RDSon

Elevata resistenza alle valanghe

Basse perdite di potenza dello stadio pilota

30 V Vdss

ID 80 A.

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