MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante
- Codice RS:
- 239-6330P
- Codice costruttore:
- STD86N3LH5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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| 10 - 95 | 1,402 € |
| 100 - 245 | 1,37 € |
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| 500 + | 1,312 € |
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- Codice RS:
- 239-6330P
- Codice costruttore:
- STD86N3LH5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | STD | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 70W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | UL | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie STD | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 70W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni UL | ||
Altezza 2.4mm | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il dispositivo MOSFET STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia STMicroelectronics STripFET H5. Questo dispositivo è stato ottimizzato per ottenere una resistenza in stato attivo molto bassa.
Bassa resistenza in stato attivo RDSon
Elevata resistenza alle valanghe
Basse perdite di potenza dello stadio pilota
30 V Vdss
ID 80 A.