MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.056 Ω Depletion, 42 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie
- Codice RS:
- 239-8636P
- Codice costruttore:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 239-8636P
- Codice costruttore:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.056Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 236W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.056Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 236W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 42 A - SIHK055N60E-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la gestione dell'alimentazione in contesti industriali e automobilistici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui è richiesta una robusta gestione ad alta tensione e un contenitore compatto.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 42 A supporta il funzionamento con carichi pesanti • Il basso valore Rds(on) di 0,056 Ω riduce le perdite di conduzione • La carica di gate tipica a 54 nC bilancia la velocità di commutazione e lo sforzo di azionamento • La dissipazione di potenza di 236 W consente una gestione della potenza sostenuta • Valore nominale fino a +150 °C per ambienti a temperatura elevata
Applicazioni
• Adatto per le fasi di conversione di potenza nell'automazione industriale • Ideale per circuiti di commutazione inverter azionamento motore • Utilizzato per convertitori c. c. - c. c. ad alta tensione nei sistemi elettrici • Può essere utilizzato per i moduli di gestione dell'alimentazione automobilistica che richiedono la qualifica AEC-Q101
Quale stile di montaggio è richiesto per l'assemblaggio della scheda?
È fornito in un contenitore superficiale PowerPAK 10x12 con otto pin progettati per i processi di saldatura a montaggio superficiale e la conduzione termica al circuito stampato.
In che modo il requisito di azionamento del gate influisce sulla selezione del controller?
Il dispositivo supporta tensioni gate-source fino a 30 V e ha una carica gate tipica di 54 nC, pertanto i driver devono generare una carica sufficiente per le transizioni di commutazione desiderate rimanendo entro il limite VGS.
Quali condizioni ambientali estreme può sopportare durante il funzionamento?
Il componente è specificato per il funzionamento da -55 °C a +150 °C, consentendo l'uso in un'ampia gamma di temperature ambientali e di giunzione in ambienti difficili.
Esistono approvazioni industriali rilevanti per l'uso automobilistico?
È conforme agli standard AEC-Q101 per semiconduttori di livello automobilistico ed è conforme alla direttiva RoHS per le restrizioni sui materiali.