MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00128 Ω Depletion, 410 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SQJA26EP-T1_GE3

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Codice RS:
239-8672
Codice costruttore:
SQJA26EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

410A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00128Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il modello SQJA Vishay è un MOSFET a canale N per il settore automobilistico che funziona a 30 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per un'elevata densità di potenza.

Qualifica AEC-Q101

Testata UIS

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