MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 30 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 240-0612P
- Codice costruttore:
- STW75N65DM6-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 240-0612P
- Codice costruttore:
- STW75N65DM6-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | STW | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 480W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 118nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 40.92mm | |
| Standard/Approvazioni | UL | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie STW | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 480W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 118nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 40.92mm | ||
Standard/Approvazioni UL | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido DM6 MDmesh. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Carica gate bassa, capacità di ingresso e resistenza
Testato a valanga al 100%
Estremamente robusto dv/dt
Protezione Zener