MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 7.9 A, 8 Pin, MLPAK33, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

375,00 €

(IVA esclusa)

456,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 06 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,125 €375,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
240-1982
Codice costruttore:
PXN017-30QLJ
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

MLPAK33

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N Nexperia in contenitore in plastica MLPAK33 (SOT8002) con dispositivo a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Tecnologia MOSFET Trench

QG e QGD ultra bassi per un'elevata efficienza del sistema, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate

Commutazione superveloce con soft-recovery

Bassi picchi e ringing per progetti EMI ridotte

Contenitore MLPAK33 (ingombro 3,3 x 3,3 mm)

Link consigliati