MOSFET Nexperia, canale Tipo N 25 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 10.3 A, 8 Pin, MLPAK33, Superficie PXN6R2-25QLJ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-1992
Codice costruttore:
PXN6R2-25QLJ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

MLPAK33

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N Nexperia in contenitore in plastica MLPAK33 (SOT8002) con dispositivo a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Tecnologia MOSFET Trench

QG e QGD ultra bassi per un'elevata efficienza del sistema, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate

Commutazione superveloce con soft-recovery

Bassi picchi e ringing per progetti EMI ridotte

Contenitore MLPAK33 (ingombro 3,3 x 3,3 mm)

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