MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.2 mΩ, 9.4 A, 5 Pin, ThinPAK 5x6, Superficie

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Codice RS:
240-8534
Codice costruttore:
IPLK70R1K2P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

ThinPAK 5x6

Serie

IPL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

25.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

3 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.35mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La famiglia Infineon CoolMOSTM™ P7 super giunzione (SJ) MOSFET è progettata per affrontare le sfide classiche del mercato SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma migliorati e competitività dei prezzi. Il contenitore ThinPAK 5x6 è caratterizzato da un ingombro molto ridotto di 5x6 mm² e da un profilo molto basso con un'altezza di 1 mm. Insieme al relativo parametro di riferimento della bassa capacità parassita, queste caratteristiche conducono a fattori di forma significativamente più piccoli e contribuiscono ad aumentare la densità di potenza. Questa combinazione rende CoolMOS™ P7 in ThinPAK la soluzione perfetta per le applicazioni target. La famiglia CoolMOSTM™ P7 da 700 V è ottimizzata per le topologie flyback.

Perdite estremamente basse

Comportamento termico eccellente

Diodo di protezione ESD integrato

Basse luci di commutazione (Eoss)

Completamente qualificati in conformità JEDEC per applicazioni industriali

Qualità e affidabilità migliori della categoria

Bassa EMI

Ampia gamma di valori RDS(on)

Portafoglio completamente ottimizzato

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