MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.2 mΩ, 9.4 A, 5 Pin, ThinPAK 5x6, Superficie
- Codice RS:
- 240-8536P
- Codice costruttore:
- IPLK70R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 120 | 0,716 € |
| 125 - 245 | 0,668 € |
| 250 - 495 | 0,628 € |
| 500 + | 0,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-8536P
- Codice costruttore:
- IPLK70R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Tipo di package | ThinPAK 5x6 | |
| Serie | IPL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 3 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.35mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Tipo di package ThinPAK 5x6 | ||
Serie IPL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 3 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.35mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La famiglia Infineon CoolMOSTM™ P7 super giunzione (SJ) MOSFET è progettata per affrontare le sfide classiche del mercato SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma migliorati e competitività dei prezzi. Il contenitore ThinPAK 5x6 è caratterizzato da un ingombro molto ridotto di 5x6 mm² e da un profilo molto basso con un'altezza di 1 mm. Insieme al relativo parametro di riferimento della bassa capacità parassita, queste caratteristiche conducono a fattori di forma significativamente più piccoli e contribuiscono ad aumentare la densità di potenza. Questa combinazione rende CoolMOS™ P7 in ThinPAK la soluzione perfetta per le applicazioni target. La famiglia CoolMOSTM™ P7 da 700 V è ottimizzata per le topologie flyback.
Perdite estremamente basse
Comportamento termico eccellente
Diodo di protezione ESD integrato
Basse luci di commutazione (Eoss)
Completamente qualificati in conformità JEDEC per applicazioni industriali
Qualità e affidabilità migliori della categoria
Bassa EMI
Ampia gamma di valori RDS(on)
Portafoglio completamente ottimizzato