MOSFET Microchip, canale Tipo N 12 V, 8 Ω, 140 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 241-9262
- Codice costruttore:
- MSC040SMA120B4
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 14,124 € | 423,72 € |
| 120 + | 12,98 € | 389,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9262
- Codice costruttore:
- MSC040SMA120B4
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 140A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Serie | MSC040SMA120B4 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 137nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 2 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 140A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Serie MSC040SMA120B4 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 137nC | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 2 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La linea di prodotti MOSFET di potenza in carburo di silicio Microchip di Micro semi aumenta le prestazioni rispetto alle soluzioni IGBT e MOSFET in silicio riducendo al contempo il costo totale di proprietà per le applicazioni ad alta tensione.
Basse capacità e bassa carica di gate
Velocità di commutazione rapida grazie alla bassa resistenza interna di gate
Funzionamento stabile ad elevate temperature di giunzione TJ(max) pari a 175 °C
Diodo corpo rapido e affidabile
Resistenza a valanga superiore
Conforme a RoHS