Transistor MOSFET Infineon, canale N, 64 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 60 V e una corrente di drenaggio (ID) di 64 A. È ottimizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori switching (SMPS) come quelli presenti in server e desktop e caricabatterie tablet. Inoltre, questi dispositivi sono la scelta ideale per un'ampia gamma di applicazioni industriali, tra cui il controllo dei motori, i microinverter solari e i convertitori CC-CC a commutazione rapida.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni, ad esempio sincronizzazione e rec.
100% testato a valanga
Resistenza termica superiore per contenitore
Canale N
Qualificato secondo JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Placcatura del conduttore senza piombo
Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21