MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie

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Codice RS:
241-9684
Codice costruttore:
IAUC100N04S6L014ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Infineon OptiMOSTM per uso automobilistico ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 40 V e una corrente di drenaggio (ID) di 100 A. È dotato di tecnologia MOS nel contenitore senza cavi SS08 da 5 x 6 mm2 con il massimo livello di qualità e robustezza per le applicazioni automobilistiche.

OptiMOSTM - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

a canale N - Modalità potenziata - Livello logico

AEC Q101 qualificato

MSL1 fino a 260 °C di picco di riflusso

175 °C di temperatura d'esercizio

Green Product (conforme a RoHS)

testato al 100% valanga

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