MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.9 mΩ, 192 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
242-0990
Codice costruttore:
IRF100S201
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

192A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPA

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza a canale N singolo Infineon hanno una corrente di drenaggio massima di 192 A. La temperatura d'esercizio del MOSFET di potenza è compresa tra -55 °C e 175 °C. È ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Corrente nominale elevata

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