MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6 DSC, Superficie

Codice RS:: 243-9291
Codice costruttore:: BSC040N10NS5SCATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6 DSC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

6096,00 €

(IVA esclusa)

7436,00 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
4000 +	1,524 €	6.096,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 243-9291
Codice costruttore:: BSC040N10NS5SCATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	381A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	SuperSO8 5 x 6 DSC
	Serie	BSC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.7mΩ
	Modalità canale	N
	Tensione diretta Vf	1V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 381A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package SuperSO8 5 x 6 DSC
	Serie BSC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ
	Modalità canale N
	Tensione diretta Vf 1V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSC040N10NS5SCATMA1

Il MOSFET Infineon BSC040N10NS5SCATMA1 utilizza la più recente tecnologia OptiMOS™ 5 in un contenitore SuperSO8 con clip esposta per il raffreddamento su due lati. Il basso valore di Rthjc-top si traduce in una migliore dissipazione del calore. Con un basso RDS(on), questa famiglia contribuisce alla realizzazione di progetti ad alta efficienza e alta densità di potenza in applicazioni quali telecomunicazioni, server e drive.

Resistenza termica ridotta rispetto al modulo SuperSO8 standard

Basso RDS(on)

Capacità termica di 175 °C

Si adatta all'ingombro standard SuperSO8

Ultima tecnologia OptiMOS™ 5

Sostituzione drop-in nei progetti che utilizzano il formato SuperSO8

Basse perdite di conduzione e di commutazione

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6 DSC, Superficie

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