MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ, 11 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRL60HS118
- Codice RS:
- 243-9303
- Codice costruttore:
- IRL60HS118
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 243-9303
- Codice costruttore:
- IRL60HS118
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | IRFH | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie IRFH | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N Infineon IRL60HS118 è disponibile in tre diverse classi di tensione (60 V, 80 V e 100 V). I nuovi MOSFET di potenza a livello logico Infineon sono particolarmente adatti per applicazioni di ricarica wireless, telecomunicazioni e adattatori. Il formato PQFN 2x2 è particolarmente adatto per le applicazioni di commutazione ad alta velocità e per quelle critiche in termini di fattore di forma. Consente una maggiore densità di potenza e una migliore efficienza, nonché un notevole risparmio di spazio.
Progetti a maggiore densità di potenza
Frequenza di commutazione più elevata
Utilizza il chip OptiMOS™5
Riduzione del numero di componenti quando sono disponibili alimentazioni a 5 V
Azionato direttamente dai microcontroller (commutazione lenta)
Riduzione dei costi di sistema
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