MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie IAUC80N04S6N036ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
243-9317
Codice costruttore:
IAUC80N04S6N036ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon dispone di un MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche, con modalità N-channel-Enhancement-Logic Level e qualificato AEC Q101.

Canale N

100% testato a valanga

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260°C di picco di rifusione

175°C di temperatura di esercizio

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

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