MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ N, 100 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie
- Codice RS:
- 243-9318
- Codice costruttore:
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
1090,00 €
(IVA esclusa)
1330,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 5000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,218 € | 1.090,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 243-9318
- Codice costruttore:
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | IPC | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie IPC | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
40 V, canale N, 5,5 mΩ max, MOSFET per uso automobilistico, SS08 (5x6), OptiMOSTM-5
Con un portafoglio di MOSFET a canale N per uso automobilistico disponibili in un'ampia varietà di contenitori, i nostri MOSFET offrono la massima flessibilità di progettazione e soddisfano un'ampia selezione di esigenze. A partire da 3 mm x 3 mm e fino a una dimensione di 10 mm x 15 mm, è possibile trovare il MOSFET per le proprie esigenze di applicazione.
Inoltre, il pacchetto Half-bridge appena rilasciato per le applicazioni di azionamento di motori da 40 V, insieme ai più recenti 10 mm x 15 mm con raffreddamento lato superiore per le applicazioni con la massima densità di potenza, completa il portafoglio per questi requisiti speciali, risparmiando spazio e costi aggiuntivi sui componenti di raffreddamento rispettivamente.
Riepilogo delle caratteristiche
•OptiMOSTM - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche
•Canale N - Modalità di potenziamento - Livello logico
•Certificazione AEC Q101
•MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco
•Temperatura d'esercizio 175 °C
•Prodotto ecologico (conforme alla direttiva RoHS)
•100% Avalanche testato
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 8 Pin Superficie IPC50N04S5L5R5ATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 8 Pin Superficie IPZ40N04S5L2R8ATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ 8 Pin Superficie ISZ065N03L5SATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ 8 Pin Superficie IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ 8 Pin Superficie ISC019N03L5SATMA1
