MOSFET onsemi, canale N 1.2 kV, 22 mΩ N, 58 A, 5 Pin, DFN, Foro passante NTMFS6H824NT1G
- Codice RS:
- 244-9187P
- Codice costruttore:
- NTMFS6H824NT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 198 | 1,66 € |
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| 1000 + | 1,265 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-9187P
- Codice costruttore:
- NTMFS6H824NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 58A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Serie | NTM | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 117W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 58A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Serie NTM | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 117W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La tensione da drain a source del MOSFET on Semiconductor è di 60 V e da gate−a−−è di−±20 V.
Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto
Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione
Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver
Questi dispositivi sono privi di piombo−e sono conformi alla direttiva RoHS