MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 0.9 A, 3 Pin, X1-DFN, Superficie
- Codice RS:
- 246-6794
- Codice costruttore:
- DMN2310UFD-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
147,00 €
(IVA esclusa)
180,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,049 € | 147,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6794
- Codice costruttore:
- DMN2310UFD-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 890mW | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.53mm | |
| Larghezza | 1.25 mm | |
| Lunghezza | 1.25mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 890mW | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.53mm | ||
Larghezza 1.25 mm | ||
Lunghezza 1.25mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN1212-3. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±8 V. Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole. Ha bassa dispersione in ingresso/uscita