MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 0.9 A, 3 Pin, X1-DFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

147,00 €

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Codice RS:
246-6794
Codice costruttore:
DMN2310UFD-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

0.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

DMN

Tipo di package

X1-DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

890mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.25 mm

Altezza

0.53mm

Lunghezza

1.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN1212-3. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±8 V. Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole. Ha bassa dispersione in ingresso/uscita

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