MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 79 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
246-6848
Codice costruttore:
DMPH4011SK3Q-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

79A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.29mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

6.58mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore TO252. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e ha un elevato valore nominale BVDSS per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

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