MOSFET DiodesZetex, canale N, 0.028 Ω, 100 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È dotato di un eccellente prodotto Qgd xRDS(ON) (FOM) e di una tecnologia avanzata per la conversione c.c.-c.c.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Fornisce un fattore di forma termico ridotto e il contenitore efficiente consente prodotti finali a densità più elevata. Occupa solo il 33% dell'area della scheda occupata da SO-8 consentendo un prodotto finale più piccolo