MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 0,75 O, 1,5 O, 600 mA, 750 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a coppia complementare, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SOT363 e il profilo da 0,6 mm lo rende ideale per le applicazioni a profilo basso. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±6 V Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole Il suo contenitore termicamente efficiente consente prodotti finali a densità più elevata