MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, Tipo P, 0.058 Ω 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 246-7502P
- Codice costruttore:
- DMHC4035LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7502P
- Codice costruttore:
- DMHC4035LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.058Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.058Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modello DiodesZetex è un MOSFET H-Bridge complementare di nuova generazione, dotato di bassa resistenza in stato attivo ottenibile con azionamento gate basso. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. Offre una commutazione rapida e una bassa capacità di ingresso. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V 2 canali N e 2 canali P in un contenitore SOIC. Offre una bassa resistenza in stato attivo