MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 0.025 mΩ Miglioramento, 9 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMP3021SFVWQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7529
Codice costruttore:
DMP3021SFVWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerDI3333-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.025mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.85mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4 mm

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Fornisce un fattore di forma termico ridotto e un contenitore efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±25 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha una bassa tensione di soglia del gate. Offre un gate con protezione ESD

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