MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 0.025 mΩ Miglioramento, 9 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMP3021SFVWQ-7
- Codice RS:
- 246-7529
- Codice costruttore:
- DMP3021SFVWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7529
- Codice costruttore:
- DMP3021SFVWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.025mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.025mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 0.85mm | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Fornisce un fattore di forma termico ridotto e un contenitore efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±25 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha una bassa tensione di soglia del gate. Offre un gate con protezione ESD
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