MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 0.003 mΩ Miglioramento, 150 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie DMT32M5LPS-13

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Codice RS:
246-7550
Codice costruttore:
DMT32M5LPS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerDI5060-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.003mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.15 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le dimensioni del contenitore inferiori a 1,1 mm lo rendono ideale per le applicazioni sottili.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Il contenitore termicamente efficiente è ideale per le applicazioni con funzionamento più freddo. Offre una bassa capacità di ingresso

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