MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 0.003 mΩ Miglioramento, 150 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie DMT32M5LPS-13
- Codice RS:
- 246-7550
- Codice costruttore:
- DMT32M5LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7550
- Codice costruttore:
- DMT32M5LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerDI5060-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.003mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerDI5060-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.003mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le dimensioni del contenitore inferiori a 1,1 mm lo rendono ideale per le applicazioni sottili.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Il contenitore termicamente efficiente è ideale per le applicazioni con funzionamento più freddo. Offre una bassa capacità di ingresso
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