MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 0.0052 Ω Miglioramento, 17.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie DMTH43M8LK3Q-13
- Codice RS:
- 246-7566
- Codice costruttore:
- DMTH43M8LK3Q-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7566
- Codice costruttore:
- DMTH43M8LK3Q-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0052Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0052Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore TO252. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È dotato di un eccellente prodotto Qgd xRDS(ON) (FOM) e di una tecnologia avanzata per la conversione c.c.-c.c.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre una commutazione induttiva senza morsetto al 100% e garantisce un'applicazione finale più affidabile e robusta. Offre un basso RDS(ON) e garantisce che le perdite di stato siano ridotte al minimo
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