MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 0.0052 Ω Miglioramento, 17.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie DMTH43M8LK3Q-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7566
Codice costruttore:
DMTH43M8LK3Q-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0052Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore TO252. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È dotato di un eccellente prodotto Qgd xRDS(ON) (FOM) e di una tecnologia avanzata per la conversione c.c.-c.c.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre una commutazione induttiva senza morsetto al 100% e garantisce un'applicazione finale più affidabile e robusta. Offre un basso RDS(ON) e garantisce che le perdite di stato siano ridotte al minimo

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