MOSFET Infineon, canale N, 225 A, TO-247-4, Su foro

I MOSFET SiC CoolSiC da 1200 V, 7 mΩ di Infineon nel contenitore TO247-4 sono basati su un processo di semiconduttori trench all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni con affidabilità. Questi includono i livelli di capacità e carica gate più bassi osservati negli interruttori da 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo interno a prova di commutazione, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura e caratteristica di stato attivo senza soglia. I MOSFET CoolSiC sono ideali per topologie di commutazione rigide e risonanti come circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC), topologie bidirezionali e convertitori c.c.-c.c. o inverter c.c.-c.a.

VDSS - 1200 V a T - 25 °C
IDCC - 225 A a T - 25 °C
RDS(on) - 7 mohm a VGS - 18 V, T - 25 °C
Perdite di commutazione molto basse
Tensione di soglia del gate di riferimento, VGS(th) - 4,2 V
Robusto contro l'accensione parassita, può essere applicata una tensione del gate di disattivazione 0 V
Diodo di corpo robusto per la commutazione rigida
Tecnologia di interconnessione XT per prestazioni termiche migliori della categoria