MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP65N045M9
- Codice RS:
- 248-9689P
- Codice costruttore:
- STP65N045M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- STP65N045M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 245W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 28.9mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Standard/Approvazioni | UL | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 245W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 28.9mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
Standard/Approvazioni UL | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il prodotto STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N basato sulla più innovativa tecnologia di supergiunzione MDmesh DM9, adatto per MOSFET di media o alta tensione con bassissimo RDS on per area accoppiato con un diodo di recupero rapido. La tecnologia DM9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante ha una delle più basse resistenze all'accensione e valori di carica del gate ridotti, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.
Migliore FOM RDS on Qg al mondo tra i dispositivi a base di silicio
Maggiore valore nominale VDSS
Maggiore capacità dv/dt
Eccellenti prestazioni di commutazione
Facile da azionare
Testato al 100% a valanga