MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220
- Codice RS:
- 249-1126P
- Codice costruttore:
- R6530KNX3C16
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 98 | 3,12 € |
| 100 - 248 | 2,66 € |
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- Codice RS:
- 249-1126P
- Codice costruttore:
- R6530KNX3C16
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | R6530KNX3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie R6530KNX3 | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza con corrente di drain da 30 A, 650 V, canale N di commutazione ad alta velocità ROHM offre prodotti di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pongono l'accento sull'elevata efficienza. Questi prodotti della serie raggiungono una maggiore efficienza tramite commutazione ad alta velocità, h.
Bassa resistenza in stato attivo
Commutazione ultra rapida
Uso facile in parallelo
Placcatura senza piombo
Conforme RoHS