MOSFET Microchip, canale N, 41 A, TO-247, Su foro

La linea di prodotti MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) di Microship aumenta le prestazioni rispetto alle soluzioni MOSFET e IGBT al silicio, riducendo al contempo il costo totale di proprietà per le applicazioni ad alta tensione. Il dispositivo è un MOSFET SiC da 3300 V, 80 mΩ, in un contenitore TO-247 a 4 conduttori con senso della sorgente. Ha basse capacità e bassa carica del gate con velocità di commutazione rapida grazie alla bassa resistenza interna del gate (ESR). Consente un funzionamento stabile ad alta temperatura di giunzione, TJ(max) di 150 °C. È un diodo corpo rapido e affidabile con una resistenza alla valanga superiore.

Elevata efficienza per consentire un sistema più leggero e compatto.
Semplice da azionare e da eseguire in parallelo.
Capacità termiche migliorate e minori perdite di commutazione