MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 30 A, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCT040H65G3AG
- Codice RS:
- 249-6654P
- Codice costruttore:
- SCT040H65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 249-6654P
- Codice costruttore:
- SCT040H65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 650 V | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 30 A | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 650 V | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 30 A | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency