MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 35 V, 0.01 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante STD80N240K6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6745
Codice costruttore:
STD80N240K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

35V

Serie

STD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.6 mm

Lunghezza

10.1mm

Standard/Approvazioni

UL

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics è stato progettato utilizzando l'ultima tecnologia di rete K6 basata sulla tecnologia di super giunzione. Il risultato è la migliore resistenza in stato attivo della categoria per area e carica gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Miglior RDS(on) al mondo x area

Miglior FOM al mondo (figura di merito)

Carica gate ultra bassa

100% testata a valanga

Con protezione Zener

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