MOSFET STMicroelectronics, canale N 35 V, 0.01 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6745P
Codice costruttore:
STD80N240K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

35V

Tipo di package

TO-252

Serie

STD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

UL

Larghezza

6.6mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics è stato progettato utilizzando l'ultima tecnologia di rete K6 basata sulla tecnologia di super giunzione. Il risultato è la migliore resistenza in stato attivo della categoria per area e carica gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Miglior RDS(on) al mondo x area

Miglior FOM al mondo (figura di merito)

Carica gate ultra bassa

100% testata a valanga

Con protezione Zener

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