MOSFET di potenza Infineon Mezzo ponte, canale Tipo N, 3 mΩ, 60 A 40 V, SuperSO8 5 x 6 N, 8 Pin IAUC60N04S6L030HATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6889
Codice costruttore:
IAUC60N04S6L030HATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOS-TM6

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Mezzo ponte

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon OptiMOS è un MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche. Il canale di funzionamento è N. È qualificato AEC Q101. MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco. Prodotto verde (conforme a RoHS) ed è testato al 100% a valanga.

Temperatura d'esercizio 175 °C

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