MOSFET di potenza Infineon Mezzo ponte, canale N, 60 A 40 V, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 249-6892
- Codice costruttore:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
5,07 €
(IVA esclusa)
6,19 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Più 3314 unità in spedizione dal 09 novembre 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,535 € | 5,07 € |
| 20 - 48 | 2,125 € | 4,25 € |
| 50 - 98 | 1,98 € | 3,96 € |
| 100 - 198 | 1,855 € | 3,71 € |
| 200 + | 1,705 € | 3,41 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-6892
- Codice costruttore:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Mezzo ponte | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Mezzo ponte | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Link consigliati
- MOSFET di potenza Infineon Mezzo ponte 60 A 40 V Montaggio superficiale Miglioramento, 8 Pin
- Transistor di potenza Infineon Mezzo ponte 60 A 40 V Montaggio superficiale Miglioramento, 8
- MOSFET Infineon Mezzo ponte 45 A 40 V Montaggio superficiale Miglioramento, 8 Pin
- MOSFET di potenza Infineon Mezzo ponte 3 mΩ SuperSO8 5 x 6 8 Pin
- Transistor di potenza Infineon Mezzo ponte 45 A 40 V Montaggio superficiale Miglioramento, 8
- Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon 12.5 mΩ 1.2 kV EasyPACK 22 Pin
- Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon 8.3 mΩ 1.2 kV EasyPACK 22 Pin
- Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon 2.4 mΩ 2.3 kV XHP-2 15 Pin
