MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.01 mΩ Depletion, 126 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR5102EP-T1-RE3
- Codice RS:
- 252-0251P
- Codice costruttore:
- SIDR5102EP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 20 unità (fornito in una striscia continua)*
68,80 €
(IVA esclusa)
84,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 5890 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 98 | 3,44 € |
| 100 - 198 | 3,115 € |
| 200 - 498 | 2,93 € |
| 500 + | 2,745 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 252-0251P
- Codice costruttore:
- SIDR5102EP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 126A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8DC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.01mΩ | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 126A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8DC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.01mΩ | ||
Modalità canale Depletion | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen V
Figura di merito (FOM) RDS - Qg molto bassa
Regolato per ottenere la più bassa RDS - Qoss FOM
Testato al 100% Rg e UIS