MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0025 mΩ Miglioramento, 243 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SQJ154EP-T1_GE3
- Codice RS:
- 252-0305P
- Codice costruttore:
- SQJ154EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 252-0305P
- Codice costruttore:
- SQJ154EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 243A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8L | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0025mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 43nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 214W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Larghezza | 4.9 mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 243A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8L | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0025mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 214W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Larghezza 4.9 mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET per uso automobilistico di Vishay sono prodotti con un flusso di processo dedicato per garantire la massima robustezza. Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C, la serie SQ di Vishay Siliconix, qualificata AEC-Q101, è caratterizzata da tecnologie FET a canale N e P a bassa resistenza di accensione in package SO senza piombo (Pb) e alogeni.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
Qualificato AEC-Q101
Testato al 100% Rg e UIS