MOSFET Texas Instruments, canale N 12 V, 12.9 mΩ Miglioramento, 10.7 A, DSBGA, Superficie
- Codice RS:
- 252-8470P
- Codice costruttore:
- CSD13306WT
- Costruttore:
- Texas Instruments
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,72 € |
| 100 - 240 | 0,701 € |
| 250 - 490 | 0,684 € |
| 500 + | 0,665 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 252-8470P
- Codice costruttore:
- CSD13306WT
- Costruttore:
- Texas Instruments
Specifiche
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Texas Instruments | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Tipo di package | DSBGA | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.9W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Texas Instruments | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Tipo di package DSBGA | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.9W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||