MOSFET onsemi, canale N 1.2 kV, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 7 Pin, TO-247, Foro passante NTH4L025N065SC1

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Codice RS:
254-7669
Codice costruttore:
NTH4L025N065SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

4.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

164nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, MOSFET in carburo di silicio (SiC) TO-247-4L - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L


La serie NTH di MOSFET in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, grazie alla bassa resistenza all'accensione e alle dimensioni compatte del chip. Garantisce una bassa capacità e una bassa carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Utilizzato nelle telecomunicazioni con carica gate ultra bassa, commutazione ad alta velocità e bassa capacità

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