MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 7 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
254-7669
Codice costruttore:
NTH4L025N065SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

164nC

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione diretta Vf

4.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, MOSFET in carburo di silicio (SiC) TO-247-4L - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L


La serie NTH di MOSFET in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, grazie alla bassa resistenza all'accensione e alle dimensioni compatte del chip. Garantisce una bassa capacità e una bassa carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Utilizzato nelle telecomunicazioni con carica gate ultra bassa, commutazione ad alta velocità e bassa capacità

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