MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 7 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 254-7670P
- Codice costruttore:
- NTH4L025N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 254-7670P
- Codice costruttore:
- NTH4L025N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 58A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 4.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 117W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 164nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 58A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 4.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 117W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 164nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, MOSFET in carburo di silicio (SiC) TO-247-4L - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
La serie NTH di MOSFET in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, grazie alla bassa resistenza all'accensione e alle dimensioni compatte del chip. Garantisce una bassa capacità e una bassa carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.
Utilizzato nelle telecomunicazioni con carica gate ultra bassa, commutazione ad alta velocità e bassa capacità