MOSFET DiodesZetex, canale N 20 V, 33 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

246,00 €

(IVA esclusa)

300,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 03 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,082 €246,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
254-8601
Codice costruttore:
DMN2055UQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

DMN2040U

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità di potenziamento DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile nell'interfaccia sw per impieghi generali

Bassa resistenza all'accensione Bassa capacità di ingresso gate con protezione ESD Senza alogeni e antimonio

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.